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一维Si3 N4合成的研究进展

朱瑞娟 , 刘一军 , 张电

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.21.006

纤维、晶须、纳米线等一维 Si3 N4材料及纳米带、纳米管、纳米环、纳米电缆等准一维 Si3 N4材料是具有优异的力学和热学性质的宽禁带半导体，在复合材料、催化、微纳器件和机电系统等方面有重要的应用价值。按形貌特征对一维 Si3 N4进行分类，概括了直接氮化法、碳热还原法、化学气相沉积法和先驱体热解法等合成方法，阐述了气-液-固、气-固、固-液-固等生长机制，详述并总结了一维 Si3 N4的研究现状，进而对其存在的问题和研究方向进行了分析和展望。

关键词: 一维Si3 N4 , 形貌 , 合成方法 , 生长机制